复旦大学科研团队于2025年10月8日在《自然》期刊发表全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片研究成果,该芯片性能超越现行Flash存储技术,已实现工程化流片,计划3-5年内推进产业化应用。
二维-硅基混合架构闪存芯片技术突破
全球首颗验证芯片:复旦大学周鹏-刘春森团队将二维超快闪存器件("破晓")与硅基CMOS工艺深度融合,实现94%芯片良率的关键工艺突破。
存储速度革命:采用400皮秒超高速非易失存储技术,访问速度达纳秒级,较传统闪存快千倍,突破速度-功耗-集成度的三维平衡限制。
架构创新:"长缨(CY-01)"架构通过模块化集成方案,在原子尺度实现二维材料与硅基衬底的无损贴合。